Intel liebäugelt mit neuen Werkstoffen

Mit dem Pentium 4-Design hatte Intel ja einige Probleme, nicht zuletzt wurde der Pentium 4 mit 4 GHz komplett verworfen. Der Ausweg aus dem Dilemma ist für's erste mal der Umstieg auf die Dual Core-Architektur. Verbesserungen an der Architektur alleine reichen jedoch in den nächsten Jahren nicht mehr aus. Um die Leistung weiter steigern zu können, müsse man mittelfristig die verwendeten Silizium-Transistoren verbessern und sich langfristig ganz von diesem Material verabschieden. Gegen 2010 will man laut Paolo Gargini - Director of Technology Strategy - wissen, was nach CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) kommt. Bereits 2014 könnten Chips bereits Transistoren auf Basis von Nanoröhrchen aus Karbon oder Nanodrähten aus Silizium enthalten.

In der näheren Zukunft steht für 2007 der 45-Nanometer-Fertigungsprozess an, in dem das momentan in Silizim gefertigte Gate durch eine Metall-Konstruktion ersetzt werden soll. Auch das Gate Oxide, welches den Elektronenfluss regelt, soll künftig aus einem anderen Material hergestellt werden. Davon verspricht man sich nicht nur eine höhere Leistung, sondern auch weniger Leckstrom. Mit diesen Maßnahmen will man auch die Realisierung der 22-Nanometer-Fertigung sicherstellen, die derzeit für 2011 oder 2012 geplant ist.

Mehr darüber und über vielversprechende weiterführende Technologien wie etwa Spintronics findet man bei c|net oder bei ComputerWeekly.

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