Elektronenmigration...

So jetzt hammas... wo solls hin... high voltage is mehr richtig bastlerei, amd und intel passn beide, i posts mal ins AMD..

Stichwort Elektronenmigration..

jedesmal wenn a cpu verreckt heists elektronenmigration.. dieses Phänomän wurde imho erst vor wenigen (3 imho) jahrn bekannt und erforscht... dann schriebn eine HW seite nen bericht drüber und seitdem schreit jeder elektronenmigration falls es was hat mit da cpu...

gibts irgendwo RICHTIGE untersuchungen wo das dann auch bewiesn (bei kaputtn CPUs, der effekt selbst wurde ja scho länger bewiesn) wurde?!? Oder sind das alles nur "selbstdiagnostizierte" möglichkeitn?

würd mi einfach mal interessiern

mfg

elctromigration wird vor allem von zu hohen stromdichten hervorgerufen. die stark beschleunigten electronen geben den matallatome im leiter einen impuls und diese werden aus ihrer ruhelage geworfen und 'wandern'. joule heating spielt ebenso eine rolle wenn der leiter lokal erhitzt wird (mehr waerme bedeudet, dass die metallatome staerker oszillieren und damit den elektronen ein besseres 'ziel' bieten)

bild:



electromigration ist allerdings nur ein faktor der die lebensdauer zb einer cpu beeinflusst. ebenso zu beachten sind:

lebensdauer des oxids (gate oxide des transistors) und 'hot carrier effects' (heisse electronen)
'heisse electronen' koennen in das oxide eintreten und beschaedigen oder 'traps' verursachen...fals dann das oxide leaked ist der transistor ganz oder teilweise kaputt, abheangig von spannung und strom ob noch halbwegs geschakten werden kann oder nicht.

die hohen spannungen und temperaturen koennen fuer den oxide layer durchaus toedlich sein. fuer den pentium4 (fier athlon wahrscheinlich aehnlich) ist die oxide dicke 1.2nm und das sind 5 atomare lagen!!! bei einer spannung am gate von zb 1V das ueber 1.2nm abfaellt herrscht also ein elektrisches feld von 10.000.000V/cm!!!!

zurueck zur electromigration (EM). untersuchungen haben gezeigt, dass elektrische interconnects durch zu hohe stromstaerken zerstoert werden.



ein typisches phaenomen wie man aus dem bild sehen kann ist, dass der widerstand dieser beschaedigten leiter erhoeht wird.



ein leakendes gate oxide wuerde bedeuten, dass irgendwo eine art kurzschluss besteht im gegensatz zum vergroessterten wiederstand bei electromigration.

ich weiss nicht ob es moeglich ist durch messungen am prozessor festzustellen ob EM oder gate oxide damage vorliegt. schliesslich hat der prozessor 50 millionen oder so transistoren und 'nur' 462 pins.

man kann allerdings immer den prozessor ins mikroskop stecken, dann kann man relativ sicher sein was der grund des versagen ist.

Muß mich auch für diese Erklärung bedanken da dies auch meine Frage war!