PRAM "perfect RAM" von Samsung

Zitat

"...Samsung gab bekannt, den ersten Prototypen eines „Phase-change Random Access Memory“ (PRAM) fertiggestellt zu haben, welcher innerhalb von zehn Jahren den bisher bekannten NOR-Flash ersetzen soll. Das Unternehmen präsentierte nun den ersten Prototypen dieses neuen Speichers mit einer Speicherkapazität von 512 MBit.

PRAM, welches laut Samsung besser skalieren soll als andere Speicherarchitekturen, an denen derzeit geforscht wird, soll dabei in der Lage sein, die Vorteile von RAM und nicht-flüchtigem Flash-Speicher zu kombinieren, woraus ein besonders schneller Speicher resultieren soll, der die gespeicherten Daten auch ohne Stromzufuhr nicht verliert. Samsung betitelt PRAM deshalb selbstbewusst auch schlicht als „perfect RAM“. Im Gegensatz zu anderem Flash-Speicher soll sich PRAM durch seine enorme Geschwindigkeit auszeichnen, welche dadurch möglich wird, dass PRAM bereits gespeicherte Daten vor einem Überschreiben nicht erst löschen muss. Effektiv ergibt dies eine rund 30-mal schnellere Datenübertragung als herkömmlicher Flash-Speicher. Zudem gibt Samsung an, dass PRAM eine circa zehnmal längere Lebensdauer als normaler Flash-Speicher besitzen soll..."

Computerbase

Vielleicht lieg ich ja jetzt auch falsch, aber afaik ist der für den Einsatz in Speicherkarten gedacht.
"Instead, the new type of memory breathes fresh life into the world of non-volatile storage, with 30x the speed and 10x the lifetime of conventional NAND or NOR flash chips"

Apropos Speicherkarten:

Zitat

It's been barely 10 days since we discussed 8 and 16GB SD cards, but today, Samsung announced today that it has developed the world's first 40-nanometer memory device, allowing for 32 and 64GB CompactFlash cards. According to the company's press release, the new design uses a Charge Trap Flash architecture, which "reduces inter-cell noise levels.

Samsung