Ahh bei mehr als 100Ghz nur mehr paar mA ???

hier der link !
http://www.golem.de/0106/14520.html

Über 100 GHz - Laut IBM innerhalb von zwei Jahren machbar


Neue Chip-Technologie auf Silizium-Basis entwickelt


Nachdem IBM erst kürzlich mit seiner Strained-Silicon-Technologie neue Geschwindigkeitsrekorde und Stromsparmöglichkeiten in Aussicht gestellt hat, kündigte das Unternehmen nun ein neues Transistor-Design an. Es basiert zwar weiterhin auf IBMs Silizium-Germanium-Technologie, soll jedoch im Vergleich zu aktuellen Designs trotzdem eine um 80 Prozent höhere Leistung und einen halbierten Energiebedarf liefern.

Innerhalb von zwei Jahren sollen Chips damit Geschwindigkeiten von 100 Gigahertz erreichen - womit IBM gute Chancen hat, hier der Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein. Hersteller von Netzwerkhardware sollen das neue Verfahren bereits nutzen, um schnellere Komponenten zu entwickeln, die das Tempo in heutigen Netzwerken erhöhen. Dabei können die Silizium-Germanium-Chips mit den vorhandenen Produktionsverfahren hergestellt werden.

IBM verspricht sich von seiner Technologie Taktraten von über 200 Gigahertz. Durch das modifizierte Design und die Silizium-Germanium-Technologie von IBM benötigt der Transistor beispielsweise bei einer Taktrate von 210 Gigahertz nur ein Milliampere Strom.

Die Geschwindigkeiten von Transistoren werden im Wesentlichen davon bestimmt, wie schnell Elektrizität durch sie hindurch geleitet werden kann. Das wiederum hängt vom Material des Transistors und der Entfernung ab, die innerhalb des Transistors überwunden werden muss. Standard-Transistoren werden aus normalem Silizium hergestellt. IBM hat bereits 1998 eine Weiterentwicklung des Basis-Siliziums vorgestellt, in dem durch das Hinzufügen von Germanium die Geschwindigkeit der elektrischen Leitung und damit die Leistung gesteigert werden konnten, während der Stromverbrauch deutlich zurückging. Mit der heute vorgestellten Entwicklung kombiniert IBM die Nutzung von Silizium-Germanium mit einem weiter entwickelten Transistor-Design, wodurch der von der Elektrizität im Transistor zurückzulegende Weg verkürzt und die Leistung erhöht wird.

Während sich Elektrizität in Standard-Transistoren horizontal bewegt, müssen Transistoren dünner gemacht werden, um die Wege zu verkürzen. Dies sei laut IBM jedoch mit aktuellen Fertigungstechnologien ein schwieriger Weg mit geringen Vorteilen. Bei seinem neuen Silizium-Germanium-Transistor, "Heterojunction Bipolar Transistor" (HBT) getauft, geht das Unternehmen einen anderen Weg: Im alternativen HBT-Design fließen die Elektronen vertikal, was eine Größenreduzierung und damit die Verringerung der Leitungslänge vereinfachen soll.

IBM hat bereits mit einer Reihe von Ankündigungen neuer Chiptechnologien auf sich aufmerksam gemacht, z.B. mit Kupferleitungen, "Low-k Insulation", "Silicon-on-Insulator" und "Strained Silicon". Gemeinsam mit Unternehmen aus der Kommunikationbranche arbeitet IBM derzeit in den USA und im französischen LaGaude am Einsatz von Silizium-Germanium in einer Reihe von Produkten.





MFG REALtime

Vielleicht mit Fragen versuchen?

Worauf willst du Antworten?

Im subject sind ein paar Fragezeichen, ist das die Frage?

Wenn ja, 1 Transistor 1 mA, z.B. 37 Mio Transistoren 37 Mio mA = 37 A, mal einer Spannung von 1 V = 37 W.
Da die Spannung nicht gegeben ist habe ich Annahme 1 V.

EDIT: Ist natürlich Blödsinn was ich da geschrieben habe, mili ist ja ein Tausendstel, also kämen da 37000 A raus.

3 Mögliche Annahmen:

1.) nicht alle gleichzeitig geschalten => weniger Aufnahme

2.) µA statt mA, so ein Kommafehler passiert schnell

3.) WARP-Kern-gespeiste CPUs

geh worp kern gespeißte cpu brauchen wir net durch eine hochspannungsleitung, da fließt pro strang 300k V und 1500A das bischen runtergespannt und schon brauchenwir nur noch eine gutekühlung...
cya

hmm vielleicht OCt ma dann nimma um 200-700Mhz vielleicht dann scho und die 2-10´Ghz
25Ghz@32Ghz *gg* oder 127Ghz@150Ghz

MFG REALtime