Intels 6-Kern-CPU "Dunnington" ab 2.300 Dollar

Cache gibt es ja im Vergleich zur Logik bei GPU´s so gut wie gar nichts, ist mir schon klar, aber es zeigt auch wenn man einiges von der TDP-Effizienz der CPu abzieht, das die Fertigung besser ist.

Intel braucht, wenn man zuerst mal nur die Zahlen vergleicht, ein Viertel an Leistung.
Wenn ich jetzt noch das Doppelte davon nehme, weil der Cache nicht immer aktualisiert wird, ist der Unterschied noch immer extrem.
Und schlussendlich noch die aufgenomme Leistung bei MOS-Fets hängt einzig und alleine vom Takt ab und dann taktet die CPU deutlich schneller als die GPU´s.

Es ist alles nicht klar vergleichbar, aber ohne lange herum zu rechnen, die Fertigung von TSMC ist für hochintegrierte Schaltungen einfach alles andere als gut eingestellt.
Und das AMD im Moment grosse Problem mit der 65nm Fertigung hat und hoffentlich die 45nm Fertigung besser wird

Wirklich gespannt bin ich ja auf 22nm, weil 32nm wird ziemlich sicher noch mit Lithographie gehen, aber bei 22nm geben sich nicht mal die grossen zuversichtlich, das es noch funktionieren wird.

Und welche Firmen haben schon das Geld wirklich neue strukturgebende Verfahren anzukaufen.
Intel hat das Geld sicherlich, IBM wahrscheinlich auch, ob es TSMC für ein paar Firmen die den kleinen Prozess fahren wollen, wirklich antut ist schon fragwürdig und die RAM-Hersteller werden sich wohl erst mal hüten, bei den teilweise geringen Gewinnspannen.

Einfach mal abwarten und schauen was kommt, das Ende der CMOS-Chips ist ja schon in Aussicht.

Naja es gibt schon extrem kleine Fertigungsverfahren, aber ohne Reinraum wird man bei der Planartechnik nie auskommen, weil wie willst du den normalen Staub kurzzeitig vom Wafer bekommen, den der ist einfach viel zu gross.

In Österreich gibt es einige sehr gute Firmen, bei den Fertigungsverfahren und mal schauen ob irgendeine das Glück des Tüchtigen haben wird, sind viele auch eingegangen bevor jemand ihre Technik verwendet hat.

Keine Ahnung auf welche Verfahren du dich beziehst, aber kleiner ist kein Problem, nur kleinere Transinstoren kann man halt nicht herstellen. Angström gross Bauteile sind ja nciht das Problem, nur will keiner eine Woche pro Fertigungsschritt warten.

immersion litho geht derzeit bis 32nm (und zukünftig bis 22nm), intel hat sogar mit normaler dry litho 45nm geschafft.

http://www.semiconductor.net/article/CA6553758.html

die EUV litho soll ja bis runter auf 16nm gehn, aber was danach kommt hab ich keine ahnung mehr.

Der Link ist zwar nett, aber die Gitterstrukturen sind extrem einfach und das spielt die Wellenlänge nur eine untergeordnete Rolle, sie muss nur durch das Brechungsgitter durchkommen.

Also es sieht nett aus, aber für die Fertigung von CPU´s unbrauchbar.

Das es geht stell ich gar nicht in Frage nur die Sinnhaftigkeit des Links.
Bei den derzeit eingesetzten Techniken nutzt man einfach viele tricks und kommt dann zum Ziel.

Der Link ist einfach wertlos, weil er zwar für Bragg-Reflektoren in Ordnung geht, aber nicht für andere Sachen.

In Kleinfertigung kann man auch ohne Problem 8-10nm produzieren, nur ist es noch für keine FAB geeignet und die 45nm sind im Moment in Serie möglich und die 32nm sind bei Intel wahrscheinlich auch schon knapp vor der Serienreife.

Das 193nm oder 157nm noch länger funktioniert ist sicher, aber der Link ist einfach sinnlos, das ist ein weiß ich wie altes Paper und die Struktur die erzeugt worden ist ist einfach schlecht, die zeigt einfach nicht die Leistungsfähigkeit, sondern nur die Beugung am Spalt.

Die Fläche ist nicht das entscheidende sondern der Leckstrom, wenn man nur mehr 10 Atomlagen hat und damit der Abstand, hat man praktisch schon ein Sieb, durch das die Elektronen locker durchkommen, mit einem Gegenfeld ist es zu kompensieren, aber dann steigt der Strombedarf.