Barton mit 512kb cache
x37 16.04.2002 - 21:07 1421 37
AMDfreak
Little Overclocker
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mit soi hat es folgendes auf sich:
die transistoren im inneren sind allesamt ganz spezielle mosfets. ein mosfet hat wie jeder andere transistor 3 anschlüsse (eigentlich 4 aber der bulk anschluss ist intern verbunden und interessiert eigentlich nicht). was bei einem bipolar transistor kollektor und emitter heißt, ist bei einem fet drain und source. jetzt wird aber der drain-source-kanal nicht durch eine strom gesteuert, sondern durch ein elektrisches feld zwischen gate und drain-source-kanal. dazwischen ist ein isolator, in normalen mosfets ist das meist siliciumoxid, sprich fensterglas. jetzt ist das aber nicht mehr gut genug, darum greift man auf materialien wie tantaloxid zurück. der sinn und zweck liegt unter anderem darin, die gatekapazität auf ein minimum zu reduzieren, was höhere schaltzeiten erlaubt - bei jedem umschalten muss nämlich diese parasitäre kapazität erst entladen werden, was eine gewisse zeit in anspruch nimmt.
die erklärung war jetzt technisch nicht perfekt aber man solls verstehen und nicht in fachausdrücken ertrinken  thxalot, super Erklärung, war wirklich gut verständlich!
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The Red Guy
Untitled
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Und ab wann bist du darauf gespannt???
- Also wann kommts raus  ....äh,????? Wenns den Hammer gibt.
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Murph
Nerd
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mit soi hat es folgendes auf sich:
die transistoren im inneren sind allesamt ganz spezielle mosfets. ein mosfet hat wie jeder andere transistor 3 anschlüsse (eigentlich 4 aber der bulk anschluss ist intern verbunden und interessiert eigentlich nicht). was bei einem bipolar transistor kollektor und emitter heißt, ist bei einem fet drain und source. jetzt wird aber der drain-source-kanal nicht durch eine strom gesteuert, sondern durch ein elektrisches feld zwischen gate und drain-source-kanal. dazwischen ist ein isolator, in normalen mosfets ist das meist siliciumoxid, sprich fensterglas. jetzt ist das aber nicht mehr gut genug, darum greift man auf materialien wie tantaloxid zurück. der sinn und zweck liegt unter anderem darin, die gatekapazität auf ein minimum zu reduzieren, was höhere schaltzeiten erlaubt - bei jedem umschalten muss nämlich diese parasitäre kapazität erst entladen werden, was eine gewisse zeit in anspruch nimmt.
die erklärung war jetzt technisch nicht perfekt aber man solls verstehen und nicht in fachausdrücken ertrinken ich finds superverständlich, und danke auch  alles in allem kann man also sagen dass SOI - cpu's bessere Übertaktbarkeit haben (sollten) ? w00t!
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Goldlocke
(c) Dirty Donny
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@SOI: XBitlabs hat da so eine Theorie warum der Barton Core doch kein SOI erhält. AMD soll nämlich den Deal mit Motorola wegen der .13µ Technik aufgekündigt haben, weil der Thouroughbred nicht wirklich gut damit geht (niedrige Taktraten). Der neue Partner UMC soll schon so gut produzieren, dass SOI weder für Thouroughbred noch für Barton notwendig sei!!! guckstu hier!
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Goldlocke
(c) Dirty Donny
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Wenn ich die überaus interessanten Spekulationen von XBitlabs etwas weiterspinne, dann befürchte ich, dass (zumindest die ersten ausgelieferten) Thouroughbreds nicht die von uns erhofften O/C Kings werden könnten.
Wenn AMD tatsächlich probs mit der Taktrate hat, dann werden wohl wir OCer wohl auch keine sonderliche Freude daran haben, oder!? (Die Vcore soll ja auch nur um 0,1V gesenkt werden).
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Viper780
ModeratorEr ist tot, Jim!
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vermute das die 0,1V deshalb sein weil er sonst einfach ned gut OC bar is. Aber es wird sicha ned der King in sachen GHz werden. und was SOI betrifft wäre des dann ned auch für RAM interessant?
wie wird des überhaupt aufgebracht?
des SiO2 is jo einfach nur durch Oxidation des Si entstanden
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jAcKz
Legendfool martyr
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würd ich eher nicht so sehen, weil die komplexität und transistorcount eher geringer sind.
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Viper780
ModeratorEr ist tot, Jim!
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man sparrt aber auf alle fälle viel strom (Notebook, PDA)
und es sind ja auch hier die schaltzeiten stark ausschalggebend.
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