Neue Transistortechnologie für kühlere Chips

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JC schrieb am 05.11.2003 um 15:58

pippo schrieb am 05.11.2003 um 17:35

Naja, ob sie Moor´s Gesetz weiterführen bleibt noch abzuwarten. Hat man ja jetzt beim Prescott gesehen, dass nicht alles immer so geht wie man es sich vorstellt

NullSpace schrieb am 05.11.2003 um 17:42

ich hab keine befürchtungen wegen dem moore'schen gesetz. immerhin funktionierts ja schon gut 30 jahre

pippo schrieb am 05.11.2003 um 18:57

Wenn Intel nicht dieses Jahr noch ein 3,4Ghz Modell bringt, haben sie das Gesetz bereits gebrochen

manalishi schrieb am 05.11.2003 um 19:28

naja, dass an den materialkonstanten vieles hängt war schon sehr lange klar. es geht konkret darum, das gate hochohmig zu halten und die kapazität soll dabei niedrig bleiben. so wird wenig leistung verheizt, die schaltzeiten werden kürzer. früher ging man eher den anderen weg und versuchte krampfhaft den rds(on) zu verkleinern... aber alles nur iirc

M.I.P.S. schrieb am 05.11.2003 um 19:49

Und schon wieder wurde der heilige Gral gefunden.
Obs brauchbar ist, wird man in 3 Jahren sehen.

@Moore: Empfehle den Artikel im letzten Technology Review.

HitTheCow schrieb am 05.11.2003 um 20:19

Zitat von pippo
Wenn Intel nicht dieses Jahr noch ein 3,4Ghz Modell bringt, haben sie das Gesetz bereits gebrochen

besagt das gesetz nicht, dass die transistoranzahl verdoppelt wird?
oder bin ich jetzt im falschen film

tinitus schrieb am 05.11.2003 um 20:58

Zitat
besagt das gesetz nicht, dass die transistoranzahl verdoppelt wird?

genau so ist es und zwar alle 18 Monate und nicht wie oft falsch berichtet wird alle 12 Monate

BooTes schrieb am 05.11.2003 um 21:42

Sehr schön, aber erst 2007?

FearEffect schrieb am 05.11.2003 um 21:46

wtf is moor´sches gesetz ?

pippo schrieb am 05.11.2003 um 22:20

K, ich war falsch informiert. Hatte mal gelesen, dass das Gesetz besage, dass sich alle 2 Jahre die Taktrate verdoppeln würde. Aber wie ich grad in google gelesen hab, stimmt das schon mit den 18 Monaten und der verdoppelten Transistorzahl

kepten schrieb am 06.11.2003 um 00:52

die gesamte silizium industrie und auch unis haben ja schon seit jahren in die high-k material foschung investiert, es war also nur eine frage der zeit wann der fortschritt dann wirklich kommt.

es waere interesant welches material intel nun auserkoren hat das Si02 zu ersetzen. Geforscht wurde ja unter anderem an hafnium und zirkoniumoxiden und auch oxide von tantal (HfO2, ZrO2 und Ta2O5 ).

die herausforderung ist und war wahrscheinlich, ein material zu finden das zu silizium kompatibel ist zu finden um es in den silizium bearbeitungsprozes einzubinden um bestehende fabrikationsanlagen weiterverwenden zu koennen.

aber keine frage, das ist sicherlich ein weiterer meilenstein in der halbleitergeschichte, nachdem man ja praktisch seit beginn mit Si02 gearbeitet hat.

hier eine kleine liste weiterer high-k materialien

Alternatives High-k Dielectrics - k
SiO2 3.5
Si3N4 7.0
SixNyOz (Oxynitrides) 4.0-7.0
Al2O3 9
Ta2O5 25
ZrO2 25
HfO2 40
TiO2 50
BST (BaSrTiO3) 300

check out intel's presentation:

looking for a job?

http://www.intel.com/jobs/Students/index.htm

hehe ;-)

Indigo schrieb am 06.11.2003 um 08:30

Zitat von manalishi
naja, dass an den materialkonstanten vieles hängt war schon sehr lange klar. es geht konkret darum, das gate hochohmig zu halten und die kapazität soll dabei niedrig bleiben. so wird wenig leistung verheizt, die schaltzeiten werden kürzer. früher ging man eher den anderen weg und versuchte krampfhaft den rds(on) zu verkleinern... aber alles nur iirc

oiso des...kann i da jetzt ned glauben

gate widerstand != rds(on)

gate widerstand sollte sehr hochohmig sein und rds(on) sollte gegen null gehen damit wenig leistung beim schalten selber und dann weiters im betrieb verheizt wird. soweit zur theorie. was bei schrumpfenden halbleiterstrukturen dazwischenfunkt sind die leckströme die unter umständen das 2-3fache an verlustleitung bedeuten als wie wenn der transisitor ideal arbeiten würde. und diesen leckströmen wirkt man nun mit den high-k materialien entgegen, die das jahrelang verwendete SiOxid ersetzen (sollen).
wie sich allerdings die dadurch höheren parasitic caps welche durch die höhere dielektrizitätskonstante zustandekommen auf das schaltverhalten (schaltzeiten!!!) auswirken, des werdn ma ja sehn...